Intel拟重启内存业务：ZAM单芯片容量可达512GB功耗较HBM减少50%

2月4日消息，在AI基础设施建设热潮推动DRAM需求大幅增长、全球内存供应链瓶颈问题持续突出的背景下，Intel正计划重新进入已阔别40年的DRAM内存市场。

据消息透露，英特尔（Intel）计划与软银集团旗下子公司Saimemory展开深度协作，双方将共同研发一款名为ZAM（即Z-angle memory，中文名为Z角内存）的下一代内存创新技术。该技术的单芯片最大容量能够达到512GB，其功耗相比目前市场上主流的HBM内存要减少40%到50%，未来很可能会改变人工智能时代下全球内存市场的竞争态势。

当前，全球范围内AI大模型训练、超大规模数据中心运算等应用场景，正促使算力需求以指数级速度增长，高速内存已成为AI硬件体系的核心支撑部分。

ZAM内存技术的核心竞争力来自其具有创新性的架构设计。和传统内存的垂直布线模式不一样，这项技术运用交错互连拓扑结构，借助对角线“Z字形”布线来优化芯片堆叠布局，再结合铜-铜混合键合技术让层间实现高效融合，最后构建出类似单片芯片的一体化硅块结构。

同时，ZAM技术运用无电容设计方案，借助Intel成熟的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术达成与AI芯片的高速高效连接，不仅简化了制造工艺流程，还能切实提高存储密度、降低芯片热阻。

和当下AI领域里占据主流地位的HBM内存比起来，ZAM技术的优势显得尤为亮眼。它的单芯片最大容量能够达到512GB，这一数值远远超过了目前主流HBM产品的水平。在功耗方面，ZAM技术能降低40%到50%，可以精准地攻克AI数据中心能耗过高这一行业难题。不仅如此，其独特的Z形互连设计还能让制造流程变得更加简单，从而为之后实现规模化量产打下稳固的根基。

值得一提的是，这并非Intel首次进入DRAM领域。早年间，Intel曾是DRAM市场的重要参与者，不过由于受到日本厂商的激烈竞争冲击，其市场份额不断下滑，最终在1985年退出了该领域。

如今，AI产业的爆发为内存技术开辟了全新的发展空间，Intel依托其在先进封装与芯片堆叠领域的扎实技术积淀，正计划借助ZAM技术重新掌握内存市场的话语权。

不过，它最终能否成功实现突围，关键还是要看能否说服NVIDIA这类行业领军企业采用这项技术，从而打破现有的市场格局。